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J-GLOBAL ID：200903040253414305

バッチALDリアクタのための処理プロセス

Inventor：
マックダガール, ブレンダン アンソニー

About マックダガール, ブレンダン アンソニー


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008531413
Publication number (International publication number)：2009509039
Application date： Sep. 18, 2006
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：
本発明の実施形態は、気相堆積チャンバ内の製造プロセス中に基板汚染を減少させる処理プロセスを提供する。処理プロセスは、気相堆積プロセス、例えば、原子層堆積(ALD)プロセスの前に、間に、後に行うことができる。ALDプロセスの一例において、中間処理ステップと所定数のALDサイクルを含有するプロセスサイクルは、堆積物質が所望の厚さを有するまで繰り返す。チャンバと基板は、処理プロセスの間、不活性ガス、酸化ガス、窒化ガス、還元ガス、又はそれらのプラズマにさらすことができる。ある例において、処理ガスは、オゾン、水、アンモニア、窒素、アルゴン、又は水素を含有するのがよい。一例において、バッチプロセスチャンバ内で酸化ハフニウム物質を堆積させる方法は、前処理ステップと、ALDプロセス中の中間ステップと、後処理ステップとを含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プロセスチャンバ内で基板上に物質を形成する方法であって、 プロセスチャンバを前処理プロセスにさらすステップと; 該プロセスチャンバ内の少なくとも一つの基板をALDプロセスにさらすステップであって、 ALDサイクル中に該少なくとも一つの基板を連続して少なくとも二つの化学前駆物質にさらす工程、 該ALDサイクルを所定数のサイクル繰り返す工程、 各所定数のサイクル後に処理プロセスを行う工程、 を含む、前記ステップと; 該プロセスチャンバを後処理プロセスにさらすステップと; を含む、前記方法。
IPC (6)：
C23C 16/02 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/56
FI (6)：
C23C16/02 ,  B01J19/00 K ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/56
F-Term (38)：
4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4G075DA01 ,  4G075DA11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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