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J-GLOBAL ID：201503012001062656

量子井戸太陽電池

Inventor： 野田 武司 ,  間野 高明 ,  韓 礼元
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014026098
Publication number (International publication number)：2015153892
Application date： Feb. 14, 2014
Publication date： Aug. 24, 2015
Summary：

【課題】量子井戸太陽電池の光吸収率を大きくするとともに、量子井戸内でのキャリアの再結合を抑制することによって、その効率を向上させる。 【解決手段】障壁層と量子井戸層との積層構造を設けた量子井戸太陽電池において、kBをボルツマン定数とし、絶対温度をTとするとき、量子井戸層の半導体の伝導帯における基底状態のエネルギー準位と障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±3kBT以内とする。これにより、光照射によって量子井戸内に生成されたキャリアは、迅速に量子井戸外部に取り出され、再結合が抑制される。また、量子井戸に直接遷移半導体を、障壁層に間接遷移半導体を使用する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

障壁層と量子井戸層との積層体を設けた量子井戸太陽電池において、 kBをボルツマン定数とし、絶対温度をTとするとき、前記量子井戸層の半導体の基底状態のエネルギー準位と前記障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±3kBT以内である量子井戸太陽電池。

IPC (4)：

H01L 31/035 ,  H01L 31/073 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/201

FI (5)：

H01L31/04 342 ,  H01L31/06 430 ,  H01L29/06 601W ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/201

F-Term (7)：

5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151DA04 ,  5F151DA13 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-096388   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-032693
  
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-115876   Applicant：シャープ株式会社