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J-GLOBAL ID：201503014826171612

基板表面処理装置及び方法、基板接合方法、並びに基板接合体

Inventor： 須賀 唯知 ,  山内 朗
Applicant, Patent owner： 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社
Agent (2)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014210495
Publication number (International publication number)：2015173247
Application date： Oct. 15, 2014
Publication date： Oct. 01, 2015
Summary：

【課題】本願発明は、ライン状ガス照射源を用いて、効率的に、清浄かつ良好な電気的又は機械的特性を有する接合界面を形成する基板接合方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板表面処理装置は、ライン上にガス放射口を有し、有機酸ガスを触媒を通すことにより生成した反応ガスをガス放射口から基板の表面に向かって放射して、基板の表面の酸化物を還元するライン状ガス照射源と、ライン状ガス照射源を、基板に対して相対的に移動させる移動手段とを備える。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

ガス放射口を有し、有機酸ガスを触媒を通すことにより生成した反応ガスを前記ガス放射口から基板の表面に向かって放射して、前記基板の表面の酸化物を還元するガス照射源と、 前記ガス照射源を、前記基板に対して相対的に移動させる移動手段と、 を備える、基板表面処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/60 ,  B23K 20/16 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/24

FI (6)：

H01L21/02 B ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/60 311T ,  B23K20/16 ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/24

F-Term (21)：

4E167AA08 ,  4E167AA18 ,  4E167AA29 ,  4E167AB04 ,  4E167AB08 ,  4E167AB12 ,  4E167AD04 ,  4E167AD07 ,  4E167BA02 ,  4E167CA03 ,  4E167CA05 ,  4E167CB01 ,  4E167CB04 ,  4E167DA05 ,  5F044KK05 ,  5F044KK11 ,  5F044KK18 ,  5F044PP15 ,  5F044QQ01 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電極の形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-251411   Applicant：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平4-159797