電極の形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007251411
Publication number (International publication number)：2009081398
Application date： Sep. 27, 2007
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：

【課題】還元性雰囲気を用いたリフロー処理により半田バンプを製造する方法であって、当該リフロー処理において、溶融した半田中のボイドが潰れた反動で小さい球状の半田が外部に飛び散ることを防止し、更に、前記ボイドを内包したまま半田が固化されることを防止する方法及び前記半田バンプを備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半田バンプ207の形成方法は、電極パッド102上に、半田層107を配設する段階と、前記半田層107を、当該半田層107の融点以上の温度に於いて、酸化性雰囲気に晒す段階と、溶融状態にある半田材料を、その融点以上の温度であって且つ前記酸化性雰囲気に晒す際の温度よりも低い温度に於いて、還元性雰囲気に晒す段階と、を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

導電体上に、電極材料を配設する段階と、前記電極材料を、当該電極材料の融点以上の温度に於いて、酸化性雰囲気に晒す段階と、溶融状態にある電極材料を、その融点以上の温度であって且つ前記酸化性雰囲気に晒す際の温度よりも低い温度に於いて、還元性雰囲気に晒す段階と、を含むことを特徴とする電極の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 , B23K 1/00 , B23K 31/02

FI (5)：

H01L21/92 604A , B23K1/00 330E , B23K31/02 310A , B23K31/02 310B , B23K31/02 310F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

はんだリフロー方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037345 Applicant：大豊工業株式会社, ソルダーコート株式会社
半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-245929 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (7)

リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-319819 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-245929 Applicant：富士通株式会社
加熱溶融処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-273519 Applicant：富士通株式会社

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