磁気抵抗素子および磁気メモリ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：勝沼宏仁 , 関根毅 , 鈴木順生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014050858
Publication number (International publication number)：2015176933
Application date： Mar. 13, 2014
Publication date： Oct. 05, 2015
Summary：

【課題】低飽和磁化、高垂直磁気異方性を有し、かつ高磁気抵抗比を得る磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、第1および第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間に設けられた第3磁性層と、備え、前記第1磁性層は、Mnと、Ge、Ga、Alからなる群から選択された少なくとも1つの元素と、を含み、前記第3磁性層は、Mn2VZ(Vはバナジウム、ZはAl、Gaからなる群から選択された少なくとも1つの元素を表す)を含む。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

第1および第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間に設けられた第3磁性層と、備え、前記第1磁性層は、Mnと、Ge、Ga、Alからなる群から選択された少なくとも1つの元素と、を含み、前記第3磁性層は、Mn2VZ(Vはバナジウム、ZはAl、Gaからなる群から選択された少なくとも1つの元素を表す)を含む磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/12 , H01F 10/26

FI (6)：

H01L43/08 M , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01F10/12 , H01F10/26

F-Term (50)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5E049AA10 , 5E049AC05 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB12 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

磁気抵抗素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-064344 Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-062305 Applicant：日本電気株式会社

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