磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009062305
Publication number (International publication number)：2010219177
Application date： Mar. 16, 2009
Publication date： Sep. 30, 2010
Summary：

【課題】MTJ素子のMR比を向上させること。【解決手段】MTJ素子(1)は、第1磁性層(10)と、第2磁性層(20)と、第1磁性層(10)と第2磁性層(20)との間に位置するトンネルバリア層(30)と、ハーフメタル材料で形成された第1ハーフメタル層(40)と、を備える。第1ハーフメタル層(40)は、第1磁性層(10)とトンネルバリア層(30)との間に介在し、トンネルバリア層(30)と接触し、第1磁性層(10)と磁気的に結合する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に位置するトンネルバリア層と、ハーフメタル材料で形成された第1ハーフメタル層とを備え、前記第1ハーフメタル層は、前記第1磁性層と前記トンネルバリア層との間に介在し、前記トンネルバリア層と接触し、前記第1磁性層と磁気的に結合する磁気トンネル接合素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/08 M

F-Term (27)：

4M119AA20 , 4M119BB01 , 4M119BB20 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 5F092AA02 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD26 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BE03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-016418 Applicant：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-222707 Applicant：日本放送協会
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、及びメモリー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-234284 Applicant：松下電器産業株式会社

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