半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)： SK特許業務法人 , 奥野彰彦 , 伊藤寛之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013216845
Publication number (International publication number)：2015017027
Application date： Oct. 17, 2013
Publication date： Jan. 29, 2015
Summary：

【課題】コランダム構造酸化物結晶の高温時の相転移が抑制される半導体装置、又は結晶を提供する【解決手段】本発明によれば、インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、前記酸化物結晶は、少なくとも、結晶格子の格子点間の隙間にアルミニウム原子を含有する、半導体装置、又は結晶構造体が提供される。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、前記酸化物結晶は、少なくとも、結晶格子の格子点間の隙間にアルミニウム原子を含有する、半導体装置、又は結晶構造体。

IPC (6)：

C01G 15/00 , C23C 16/40 , C23C 16/448 , C30B 29/38 , C30B 25/02 , H01L 21/205

FI (8)：

C01G15/00 D , C01G15/00 B , C01G15/00 Z , C23C16/40 , C23C16/448 , C30B29/38 D , C30B25/02 Z , H01L21/205

F-Term (42)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077DB02 , 4G077EA02 , 4G077EF02 , 4G077TB01 , 4G077TC06 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TH01 , 4K030AA02 , 4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA55 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030BB13 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 4K030LA15 , 5F045AB17 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045EE02 , 5F045EE14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-164748 Applicant：公立大学法人高知工科大学
膜形成用基板および半導体膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-087171 Applicant：株式会社NEOMAX
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-265128 Applicant：日本軽金属株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Growth and Band Gap Control of Corundum-Structured α-(AlGa)2O3 Thin Films on Sapphire by Spray-Assi

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