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J-GLOBAL ID：201503017370152679

窒化アルミニウム結晶の製造方法

Inventor： 大保 安宏 ,  杉山 正史 ,  飯田 潤二 ,  福山 博之 ,  安達 正芳
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (3)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014069921
Publication number (International publication number)：2015189651
Application date： Mar. 28, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Summary：

【課題】Ga-Al合金融液に窒素含有ガスを供給して種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、良好な結晶性を有する窒化アルミニウム結晶を種結晶基板上に均一に安定して低温で形成することが可能な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Ga-Al合金融液15を用いてシード基板13上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、Ga-Al合金融液15に導入する窒素含有ガスの露点温度を-50°C以下に維持することにより、シード基板13表面の良好な結晶性を引き継ぎ、かつアルミニウム極性を有する窒化アルミニウム結晶が基板上に均一に安定して低温で得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga-Al合金融液に窒素含有ガスを導入し、該Ga-Al合金融液中の種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法による窒化アルミニウム結晶の製造方法において、 露点温度が-50°C以下の前記窒素含有ガスを前記Ga-Al合金融液中に導入することを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04 ,  H01L 33/32

FI (3)：

C30B29/38 C ,  C30B19/04 ,  H01L33/00 186

F-Term (24)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077DB11 ,  4G077EA08 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  5F141AA40 ,  5F141CA05 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA63 ,  5F141CA65 ,  5F241AA40 ,  5F241CA05 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA63 ,  5F241CA65

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-221168   Applicant：住友金属工業株式会社
• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-360168   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 特開平1-226709