窒化アルミニウム単結晶の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：広瀬章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006221168
Publication number (International publication number)：2008044809
Application date： Aug. 14, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：

【課題】温度勾配方式の液相LPE法により、基板として使用可能な、高品質のバルクAlN単結晶を安価に安定して製造する。【解決手段】Alを含む融液原料を加熱融解させて融液とし、この融液中に窒素を溶解させてAlN溶液を形成し、AlN単結晶成長用の種結晶基板を融液表層と接触させて種結晶基板上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の製造方法において、融液原料の加熱融解中、融液原料の中で最もモル比の高い元素の融解が終了するまでは雰囲気を不活性ガス(例、アルゴンガス)とし、その後に雰囲気を窒素含有ガスに切り換えて、種結晶基板上にAlN単結晶を成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Alを含む融液原料を加熱融解させて融液とし、この融液中に窒素を溶解させてAlN溶液を形成し、AlN単結晶成長用の種結晶基板を融液表層と接触させて種結晶基板上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の製造方法において、融液原料の加熱融解中、融液原料の中で最もモル比の高い元素の融解が終了するまでは雰囲気を不活性ガスとし、その後に雰囲気を窒素含有ガスに切り換えて、種結晶基板上にAlN単結晶を成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 , C01B 21/072 , C30B 19/04 , H01L 21/208 , H01L 33/00

FI (5)：

C30B29/38 C , C01B21/072 A , C30B19/04 , H01L21/208 D , H01L33/00 A

F-Term (25)：

4G077AA02 , 4G077BE13 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA01 , 4G077EA06 , 4G077EC08 , 4G077EH07 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA34 , 4G077QA38 , 5F041CA34 , 5F041CA67 , 5F053AA03 , 5F053AA33 , 5F053AA48 , 5F053BB12 , 5F053BB24 , 5F053DD20 , 5F053GG01 , 5F053HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

AlN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-315653 Applicant：住友金属工業株式会社
窒化アルミニウム単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-360168 Applicant：住友金属鉱山株式会社
化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-041711 Applicant：松下電器産業株式会社, 森勇介

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