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J-GLOBAL ID：201503017498568630

基板処理装置及び基板処理方法

Inventor：
下村 晃司

About 下村 晃司

, 
野呂 尚孝

About 野呂 尚孝

, 
西村 栄一

About 西村 栄一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美 ,  城澤 達哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013266834
Publication number (International publication number)：2015122277
Application date： Dec. 25, 2013
Publication date： Jul. 02, 2015
Summary：
【課題】基板に対してマイクロ波を利用するプラズマ処理とマイクロ波照射による加熱処理とを行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、処理容器2と、処理容器2内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置3と、処理容器2内においてウエハWを支持する載置台4を備えている。載置台4は、マイクロ波を透過させる材料によって構成されている。処理容器2内には、ウエハWに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理空間S1と、マイクロ波が直接導入されるマイクロ波導入空間S2とが設けられている。載置台4を透過したマイクロ波は、プラズマ処理空間S1に到達してプラズマに消費される前に、優先的にウエハWの加熱に利用される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板を収容する処理容器と、 マイクロ波を透過させるマイクロ波透過性材料によって構成され、前記処理容器内で前記基板を支持する支持部材と、 プラズマを生成させるガスを前記処理容器内に導入するガス供給装置と、 マイクロ波を生成するマイクロ波源を有し、前記処理容器内に前記マイクロ波を導入するマイクロ波導入装置と、 を備え、 前記支持部材を透過した前記マイクロ波によって、前記支持部材に支持された前記基板を加熱するとともに、前記処理容器内で前記プラズマを生成させて前記基板に対してプラズマ処理を行うように構成した基板処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/268
FI (4)：
H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/31 C ,  H01L21/268 Z
F-Term (14)：
5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EK18 ,  5F045EM09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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