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J-GLOBAL ID：201503018714036831

制御された変性を有する、グラフェンナノリボン

Inventor： ローマン ファーゼル ,  パスカル リュフィユー ,  クラウス ミュレン ,  ジンミン ツァイ ,  シンリアン フェン ,  ラインハート ベアガー
Applicant, Patent owner： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ,  エーエムペーアー・アイトゲネーシッシェ・マテリアルプリューフングス-ウント・フォルシュングスアンシュタルト ,  マックス-プランク-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ
Agent (2)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2015513309
Publication number (International publication number)：2015525186
Application date： May. 13, 2013
Publication date： Sep. 03, 2015
Summary：

本発明は、少なくとも1つの変性を有する繰り返し単位を有するグラフェンナノリボンに関し、前記変性は、ヘテロ原子置換、空孔、sp3混成、ストーン・ウェルズ欠陥、逆型ストーン・ウェルズ欠陥、sp2混成した炭素六角網目構造環のサイズ変性、及びこれらの組み合わせから選択される。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種の変性を有する繰り返し単位RU1を有するグラフェンナノリボンであって、前記変性が、ヘテロ原子置換、空孔、sp3混成、ストーン・ウェルズ欠陥、逆型ストーン・ウェルズ欠陥、sp2混成した炭素六角網目構造環のサイズ変更、及びこれらの組み合わせから選択される、前記グラフェンナノリボン。

IPC (3)：

C01B 31/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (3)：

C01B31/02 101Z ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

F-Term (19)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03B ,  4G146AC17B ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD30 ,  4G146BA14 ,  4G146BA17 ,  4G146BA20 ,  4G146BA49 ,  4G146BB11 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-160969   Applicant：浦項工科大学校産学協力団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Atomically precise bottom-up fabrication of graphene nanoribbons