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J-GLOBAL ID：201203004236614472

炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子

Inventor： 李 泰 雨 ,  崔 喜 哲 ,  卞 善 禎
Applicant, Patent owner： 浦項工科大学校 産学協力団
Agent (1)： 八田国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011160969
Publication number (International publication number)：2012025653
Application date： Jul. 22, 2011
Publication date： Feb. 09, 2012
Summary：

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にコーティング工程を利用して、高分子膜を形成する段階と、 前記高分子膜上に保護膜を形成する段階と、 前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法。

IPC (17)：

C01B 31/02 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 20/00 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/42 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01M 4/96 ,  H01M 4/587 ,  H01M 4/139

FI (19)：

C01B31/02 101Z ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/28 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H01L31/04 D ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310L ,  H01M4/96 B ,  H01M4/58 103 ,  H01M4/02 111

F-Term (110)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD13 ,  3K107DD14 ,  3K107DD15 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107DD18 ,  3K107DD24 ,  3K107DD39 ,  3K107DD42X ,  3K107DD44X ,  3K107DD45X ,  3K107DD46X ,  3K107FF05 ,  3K107FF17 ,  3K107GG06 ,  3K107GG09 ,  3K107GG12 ,  3K107GG14 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD24 ,  4G146AD25 ,  4G146AD29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA13 ,  4G146BA16 ,  4G146BA20 ,  4G146BA45 ,  4G146BB02 ,  4G146BB06 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC35A ,  4G146BC37A ,  4G146BC37B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146CA02 ,  4G146CB01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG20 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110QQ06 ,  5F151AA11 ,  5F151BA11 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5H018AA02 ,  5H018BB01 ,  5H018BB08 ,  5H018DD08 ,  5H018EE05 ,  5H018EE06 ,  5H018EE17 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA14 ,  5H050CB12 ,  5H050DA04 ,  5H050FA02 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA10 ,  5H050GA22 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 複合材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-378255   Applicant：三菱レイヨン株式会社
• 繊維状炭素構造体及びその製造方法、並びに、その集合体及び分散体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-340972   Applicant：三菱化学株式会社
• 単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-318418   Applicant：三星電子株式会社
• 炭素構造体の製造方法及び炭素構造体、並びに炭素構造体の集合体及び分散体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-317609   Applicant：三菱化学株式会社, 国立大学法人北海道大学
• 集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-226457   Applicant：富士通株式会社
• 表面黒鉛化炭素材、その製造方法、およびそれを用いたリチウムイオン二次電池用負極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-257100   Applicant：株式会社ペトカ
• グラファイト状物質の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-066006   Applicant：大阪瓦斯株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Microwave plasma chemical vapor deposition of graphitic carbon thin films