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J-GLOBAL ID：201503019047549252

テーパ付けされた酸化物の堆積/エッチング

Inventor： パーササラサイ ヴィジェイ ,  バネルジー スジット ,  グラボウスキ ウェイン ビー
Applicant, Patent owner： パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
Agent (1)： 阿部 正博
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2015524304
Publication number (International publication number)：2015529017
Application date： Jul. 11, 2013
Publication date： Oct. 01, 2015
Summary：

高電圧半導体装置のテーパ付けされたフィールドプレート誘電体を製造する処理工程が開示されている。例示的な処理工程は、酸化物の薄い層を堆積させることと、多結晶シリコンハードマスクを堆積させることと、レジスト層を堆積させて溝領域をエッチングすることと、深堀シリコン溝エッチングを実行することと、レジスト層を取り除くこととを含んでもよい。処理工程は、溝内にテーパ付けされた壁を形成するため、酸化物層を堆積させることと酸化物の異方性エッチングを行うこととの繰り返し工程をさらに含んでもよい。処理工程は、ポリを堆積させることと、半導体装置を形成するさらなる処理を実行することとをさらに含んでもよい。他の例示的な処理工程は、半導体ウエハ内に溝をエッチングすること、半導体ウエハ上に絶縁層を堆積させて溝内に隙間を形成すること、絶縁層上にマスク層を堆積させること、および、マスク層と絶縁層とを交互にエッチングしてテーパ付けされたフィールドプレート誘電体領域を形成することとを含んでもよい。

Claim (excerpt)：

テーパ付けされたフィールドプレート誘電体領域を半導体ウエハに形成する方法であって、 前記半導体ウエハ内に溝をエッチングすることであって、前記溝が側壁をもつ、溝をエッチングすること、 前記側壁を含め、前記半導体ウエハ上に第1の厚さの第1の絶縁層を堆積させること、 第1の量ぶん前記第1の絶縁層をエッチングすることであって、前記溝の上部に隣接した前記第1の絶縁層の第1の上部が除去される、前記第1の絶縁層をエッチングすること、 前記半導体ウエハ上に第2の厚さの第2の絶縁層を堆積させることであって、前記第2の絶縁層が前記第1の絶縁層のうちのある部分と重なり、前記第2の絶縁層が前記第1の上部に重なる、第2の絶縁層を堆積させること、および、 第2の量ぶん前記第2の絶縁層をエッチングすることであって、前記溝の前記側壁上の前記第2の絶縁層の第2の上部が除去される、前記第2の絶縁層をエッチングすること、 を含む方法。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 658F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-103197   Applicant：新電元工業株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-189262   Applicant：日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社