半導体装置とその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩 , 谷口信行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009189262
Publication number (International publication number)：2011040682
Application date： Aug. 18, 2009
Publication date： Feb. 24, 2011
Summary：

【課題】縦型トランジスタにおいて、柱状半導体層上のコンタクトと柱状半導体層の周囲に形成されるゲート電極のショートの抑制。【解決手段】上方に平面状半導体層及び該平面状半導体層上の柱状半導体層が形成された基板に対して、柱状半導体層の上部に第2のドレイン/ソース領域を形成し、コンタクトストッパー膜を成膜し、コンタクト層間膜を成膜し、第2のドレイン/ソース領域上にコンタクトを形成し、ここでコンタクトの形成は、コンタクトのパターンを形成し、コンタクトのパターンを用いてコンタクト層間膜をコンタクトストッパー膜までエッチングすることにより、コンタクト用のコンタクト孔を形成し、コンタクト用のコンタクト孔の底部に残存するコンタクトストッパー膜をエッチングにより除去することを含み、コンタクト用のコンタクト孔の底面の基板への投影面は、柱状半導体層の上面及び側面に形成されたコンタクトストッパー膜の基板への投影形状の外周内に位置する。【選択図】図43

Claim (excerpt)：

上方に平面状半導体層及び該平面状半導体層上の柱状半導体層が形成された基板を用意する工程と、前記柱状半導体層の下部と前記平面状半導体層に第1のソース又はドレイン領域を形成する工程と、前記柱状半導体層の周囲にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、前記柱状半導体層の上部に第2のドレイン又はソース領域を形成する工程と、その後に表面にコンタクトストッパー膜を成膜する工程と、その後に表面にコンタクト層間膜を成膜する工程と前記第2のドレイン又はソース領域上に第1のコンタクトを形成する工程と、を含み、前記第1のコンタクトを形成する工程は、前記第1のコンタクトのパターンを形成する工程と、前記第1のコンタクトのパターンを用いて前記コンタクト層間膜を前記コンタクトストッパー膜までエッチングすることにより、第1のコンタクト用のコンタクト孔を形成する工程と、前記第1のコンタクト用のコンタクト孔の底部に残存する前記コンタクトストッパー膜をエッチングにより除去する工程を含み、前記第1のコンタクト用のコンタクト孔の底面の前記基板への投影面は、前記柱状半導体層の上面及び側面に形成された前記コンタクトストッパー膜の前記基板への投影形状の外周内に位置することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (8)：

H01L29/78 301X , H01L29/78 626A , H01L29/78 618C , H01L29/78 617K , H01L29/78 616K , H01L29/78 301P , H01L29/78 653B , H01L21/90 D

F-Term (107)：

5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH25 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033MM17 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ31 , 5F033QQ39 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033XX31 , 5F110AA03 , 5F110AA04 , 5F110AA26 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE24 , 5F110EE32 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110QQ19 , 5F140AA14 , 5F140AC23 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BD09 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF54 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK26 , 5F140BK27 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CE07 , 5F140CE20 , 5F140CF04 , 5F140CF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-199994 Applicant：日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社
縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-221436 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-143891 Applicant：日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社, 国立大学法人東北大学

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