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J-GLOBAL ID：201503019407319776

磁気センサ

Inventor： 矢野 敏史 ,  青 建一 ,  古市 喬干 ,  安藤 康夫 ,  大兼 幹彦 ,  中野 貴文
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立大学法人東北大学
Agent (1)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014035811
Publication number (International publication number)：2015162515
Application date： Feb. 26, 2014
Publication date： Sep. 07, 2015
Summary：

【課題】磁気センサ1において、外部磁界の検出磁界範囲として、広い検出磁界範囲を設定する。【解決手段】磁気センサ1は、外部磁場に対して磁化方向が固定されているピン層20と、外部磁場によって磁化方向が変化するフリー層40と、ピン層20とフリー層40との間に挟まれてピン層20の磁化方向とフリー層40の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する中間層30と、を備える。フリー層40は、単位面積当たりの磁化量が0.2[memu/cm2]未満になっている。このため、磁気センサ1において、外部磁界の検出磁界範囲として、300[mT]以上の広い検出磁界範囲を設定できる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

薄膜状に形成されて、その面内方向に平行である方向に磁化方向が固定されている磁化固定層(20)と、 外部磁場によって磁化方向が変化する磁界検出層(40)と、 前記磁化固定層と前記磁界検出層との間に配置されて、前記磁化固定層の磁化方向と前記磁界検出層の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する中間層(30)と、を備え、 前記磁界検出層は、単位面積当たりの磁化量が0.2[memu/cm2]未満になっていることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/09

FI (3)：

H01L43/08 M ,  G01R33/06 R ,  H01L43/08 Z

F-Term (25)：

2G017AA02 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017CC04 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD05 ,  5F092AD08 ,  5F092AD23 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-114296   Applicant：アルプス電気株式会社
• 巨大磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-159530   Applicant：アルプス電気株式会社
• 磁気検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-094031   Applicant：アルプス電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• A high temperature stable spin valve sensor head for high density applications