単結晶の製造方法、単結晶および複合体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：細田益稔 , 青木純雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004328543
Publication number (International publication number)：2005187317
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

【課題】欠陥密度が低い窒化ガリウムや窒化ガリウム-窒化アルミニウム固溶体単結晶のバルクやウェハーを製造する方法を提供する。【解決手段】 ScAlMgO4を基本組成とする種結晶10を、少なくともGaとNaフラックスとを含む融液13に対して窒素含有雰囲気下に接触させることによって、Ga1-xAlxN(x=0〜0.5)の基本組成を有する単結晶を育成する。好ましくは、融液13が更にCaを含んでおり、また、種結晶10としてマイクロ引き下げ法によって育成されたものを用いる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ScAlMgO4を基本組成とする種結晶を、少なくともGaとNaフラックスとを含む融液に対して窒素含有雰囲気下に接触させることによって、Ga1-xAlxN(x=0〜0.5)の基本組成を有する単結晶を育成することを特徴とする、単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B29/38 , C30B11/06

FI (2)：

C30B29/38 D , C30B11/06

F-Term (8)：

4G077AA02 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077CD05 , 4G077EA06 , 4G077ED01 , 4G077HA12 , 4G077MB12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-325500 Applicant：株式会社リコー
結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-237195 Applicant：株式会社リコー
結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-237200 Applicant：株式会社リコー

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Cited by examiner (1)

基板上にIII-V属窒化物半導体材料を有する素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-039556 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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