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J-GLOBAL ID：201503020134370550

多光周波数発生光源

Inventor： 山本 直克 ,  諸橋 功 ,  赤羽 浩一 ,  関根 徳彦 ,  浜崎 淳一 ,  川西 哲也 ,  寳迫 巌
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人情報通信研究機構
Agent (1)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011054776
Publication number (International publication number)：2012191075
Patent number：5818198
Application date： Mar. 11, 2011
Publication date： Oct. 04, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 光共振器と, 前記光共振器内に配置され,サブナノ層間分離層、このサブナノ層間分離層上に配置される量子ドット、及びこの量子ドットを覆うキャップ層をそれぞれ有する、複数の量子ドット部分構造を積層してなり、これら複数の量子ドット部分構造の量子ドットが互いに光学的,電気的のいずれでも結合されず、かつ互いに異なる光周波数の光を発することで、100nm以上の帯域幅の光を発する、発光部材と, 前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され,前記発光部材より発せられる互いに異なる光周波数の光から、一部の複数の光周波数を選択する光フィルタと を具備することを特徴とする多光周波数発生光源。

IPC (4)：

H01S 5/34 ( 200 6.01) ,  H01S 3/106 ( 200 6.01) ,  H01S 3/16 ( 200 6.01) ,  H01S 5/14 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01S 5/34 ,  H01S 3/106 ,  H01S 3/16 ,  H01S 5/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光半導体素子、該光半導体素子を用いた波長可変光源および光断層画像取得装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-112668   Applicant：富士フイルム株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-240656   Applicant：古河電気工業株式会社
• 波長可変レーザ及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-195879   Applicant：富士通株式会社
• 量子ドット半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-084129   Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学
• 短パルス光源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-131953   Applicant：日本電信電話株式会社