半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004240656
Publication number (International publication number)：2006060035
Application date： Aug. 20, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：

【課題】光学利得の制御が可能でかつ設計自由度の大きい、量子ドットを用いた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板(1)上に少なくとも複数の活性層(4)又は複数の光導波路層が形成されてなる半導体装置において、前記活性層(4)又は光導波路層は量子ナノ構造(100)を含んでおり、前記量子ナノ構造(100)の高さが、光の導波方向に対して垂直でかつ前記半導体基板(1)に平行な方向に段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする。あるいは、前記量子ナノ構造(100)の高さが光の導波方向に沿って段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に少なくとも複数の活性層又は複数の光導波路層が形成されてなる半導体装置において、前記活性層又は光導波路層は量子ナノ構造を含んでおり、前記量子ナノ構造の高さが、光の導波方向に対して垂直でかつ前記半導体基板に平行な方向に段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (16)：

5F173AA27 , 5F173AB65 , 5F173AD02 , 5F173AF04 , 5F173AF08 , 5F173AF12 , 5F173AF84 , 5F173AH14 , 5F173AP12 , 5F173AP20 , 5F173AP82 , 5F173AR06 , 5F173AR07 , 5F173AS01 , 5F173SA33 , 5F173SC02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

光半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-311046 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-017066 Applicant：株式会社日立製作所
半導体光集積素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-180746 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-000637 Applicant：日本電信電話株式会社

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