量子ドット半導体デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007084129
Publication number (International publication number)：2008244235
Application date： Mar. 28, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】量子ドット半導体デバイスにおいて、温度が変化しても動作波長における利得が変化しないようにする。【解決手段】量子ドット半導体デバイスを、複数の量子ドット1を積層させてなる複合量子ドット2と、複合量子ドット2の側面に接するように形成されたサイドバリア層3とを備える複数の量子ドット層4A,4Bを有する活性層11を備えるものとし、活性層11の利得スペクトルが所望の動作温度範囲における利得スペクトルのシフト量に対応した平坦利得帯域を持つように、各量子ドット層4A,4Bを構成する量子ドット1の積層数及びサイドバリア層3の歪みの大きさを設定する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数の量子ドットを積層させてなる複合量子ドットと、前記複合量子ドットの側面に接するように形成されたサイドバリア層とを備える複数の量子ドット層を有する活性層を備え、前記活性層の利得スペクトルが所望の動作温度範囲における利得スペクトルのシフト量に対応した平坦利得帯域を持つように、前記各量子ドット層を構成する前記量子ドットの積層数及び前記サイドバリア層の歪みの大きさが設定されていることを特徴とする量子ドット半導体デバイス。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (13)：

5F173AA26 , 5F173AA47 , 5F173AA48 , 5F173AF04 , 5F173AF09 , 5F173AF12 , 5F173AG12 , 5F173AH14 , 5F173AP05 , 5F173AP32 , 5F173AP62 , 5F173AR75 , 5F173AS01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許6859477号明細書
半導体量子ドット・デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-209208 Applicant：日本電気株式会社
光半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-311046 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-060186 Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学
量子光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-273178 Applicant：富士通株式会社
光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007208 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page