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J-GLOBAL ID：201503023982030571

グラファイト薄膜の製造方法

Inventor： 前田 文彦 ,  日比野 浩樹 ,  高村 真琴
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012025925
Publication number (International publication number)：2013163600
Patent number：5715075
Application date： Feb. 09, 2012
Publication date： Aug. 22, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 処理室の内部に基板を配置して前記処理室内を分子流領域の圧力に減圧する第1工程と、 エチレンガスを前記処理室の内部で電圧の印加により加熱したフィラメントからなる分解手段を通過させることで分解して前記基板の上に送出し、前記基板の表面にグラフェンの層を形成する第2工程と を少なくとも備えることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。

IPC (1)：

C01B 31/04 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 31/04 101 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• グラファイト薄膜の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-120636   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平1-133916
  
• 特開平1-138111
  
• 特開平1-167211
  
• 特開平3-168701
  
• 金属部材、DLC膜の製造装置、及び金属部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-024443   Applicant：学校法人明治大学

Cited by examiner (6)

• グラファイト薄膜の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-120636   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平1-133916
  
• 特開平1-138111
  
• 特開平1-167211
  
• 特開平3-168701
  
• 金属部材、DLC膜の製造装置、及び金属部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-024443   Applicant：学校法人明治大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using

Cited by examiner (1)

• Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using