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J-GLOBAL ID：201503037513457140

電気化学的検出用途向き合成ダイヤモンド材料

Inventor： ビジウ エレニ ,  ハットン ローラ アン ,  マクファーソン ジュリー ヴィクトリア ,  ニュートン マーク エドワード ,  アンウィン パトリック ロバート ,  パルマー ニコラ ルイーズ ,  モラート ティモシー ピーター ,  ドッドソン ジョセフ マイケル
Applicant, Patent owner： エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド
Agent (7)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  弟子丸 健 ,  井野 砂里 ,  松下 満 ,  倉澤 伊知郎 ,  渡邊 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014561441
Publication number (International publication number)：2015518137
Application date： Mar. 13, 2013
Publication date： Jun. 25, 2015
Summary：

次の特徴を有するボロンドープ合成ダイヤモンド材料であって、脱イオン水及び支持電解質としての0.1MのKNO3だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対してボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープすることによって測定された以下の基準のうちの一方又は両方を満たす溶剤窓を有し、これら基準は、溶剤窓が少なくとも4.1Vの電位範囲にわたって延び、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が38mA・cm-2に達したときに溶剤窓に関する電位範囲の端点が定められること及び溶剤窓が少なくとも3.3Vの電位範囲にわたって延び、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が0.4mA・cm-2に達したときに溶剤窓に関する電位範囲の端点が定められることであり、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料は、脱イオン水、0.1MのKNO3支持電解質及び1mMのFcTMA+又はRu(NH3)363+だけを含むpH6の溶液中の飽和カロメル基準電極に対してボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位を100mVs-1の速度でスイープすることによって測定された70mV以下のピークピーク間隔ΔEp(マクロ電極に関して)又は四分位電位ΔE3/4-1/4(ミクロ電極に関して)と、脱イオン水及び0.1MのKNO3支持電解質だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対して70mV〜-70mVのボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープし、合成電流を測定し、負の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値を正の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値から減算し、減算結果の電流値を2で除算し、次に除算結果をボロンドープ合成ダイヤモンド材料の面積(cm2)及び電位のスイープ速度(Vs-1で除算してFcm-2で表されるキャパシタンスの値を出すことによって測定された10μFcm-2以下のキャパシタンスとを更に有することを特徴とするボロンドープ合成ダイヤモンド材料。【選択図】図17

Claim (excerpt)：

次の特徴を有するボロンドープ合成ダイヤモンド材料であって、 脱イオン水及び支持電解質としての0.1MのKNO3だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対して前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープすることによって測定された以下の基準のうちの一方又は両方を満たす溶剤窓を有し、前記基準は、 前記溶剤窓が少なくとも4.1Vの電位範囲にわたって延び、前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が38mA・cm-2に達したときに前記溶剤窓に関する前記電位範囲の端点が定められること、及び 前記溶剤窓が少なくとも3.3Vの電位範囲にわたって延び、前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が0.4mA・cm-2に達したときに前記溶剤窓に関する前記電位範囲の端点が定められることであり、 脱イオン水、0.1MのKNO3支持電解質及び1mMのFcTMA+又はRu(NH3)63+だけを含むpH6の溶液中の飽和カロメル基準電極に対して前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位を100mVs-1の速度でスイープすることによって測定された70mV以下のピークピーク間隔ΔEp(マクロ電極に関して)又は四分位電位ΔE3/4-1/4(ミクロ電極に関して)を有し、 脱イオン水及び0.1MのKNO3支持電解質だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対して70mV〜-70mVの前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープし、合成電流を測定し、負の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値を正の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値から減算し、減算結果の電流値を2で除算し、次に除算結果を前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の面積(cm2)及び前記電位のスイープ速度(Vs-1)で除算してFcm-2で表されるキャパシタンスの値を出すことによって測定された10μFcm-2以下のキャパシタンスを有する、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料。

IPC (4)：

G01N 27/30 ,  G01N 27/416 ,  C01B 31/06 ,  G01N 27/48

FI (4)：

G01N27/30 B ,  G01N27/46 301G ,  C01B31/06 Z ,  G01N27/48 Z

F-Term (19)：

4G146AA04 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AC30A ,  4G146AC30B ,  4G146AD01 ,  4G146AD06 ,  4G146AD23 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-546058   Applicant：エレメントシックスリミテッド
• ホウ素ドープダイヤモンド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-526549   Applicant：ザユニバーシティオブワーウィック
• ダイアモンドを基にして得られた電極を活性化するプロセス及びそれらの使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-510813   Applicant：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
• マイクロ電極アレイ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-500953   Applicant：エレメントシックスリミテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• "Underpotential Deposition of Cu on Boron-Doped Diamond Thin Films"
• "Electrochemical study of diamond films in neutral and basic solutions of nitrate"
• "Homoepitaxial Single-Crystal Boron-Doped Diamond Electrodes for Electroanalysis"