高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 浅野裕一郎 , 安藤克則 , 上村陽一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009546058
Publication number (International publication number)：2010516600
Application date： Jan. 22, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：

本発明は、第1の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第1の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。

Claim (excerpt)：

第1の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第1の表面の上にホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層を有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料。

IPC (8)：

C30B 29/04 , C30B 25/20 , C23C 16/27 , C23C 16/02 , H01B 1/04 , H01M 4/583 , H01M 4/04 , G01N 27/30

FI (8)：

C30B29/04 P , C30B25/20 , C23C16/27 , C23C16/02 , H01B1/04 , H01M4/58 102 , H01M4/04 101Z , G01N27/30 B

F-Term (40)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB06 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA05 , 4G077TK02 , 4G077TK06 , 4K030AA07 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA02 , 4K030JA01 , 5G301BA01 , 5H050AA19 , 5H050BA00 , 5H050CA16 , 5H050CB09 , 5H050DA04 , 5H050FA18 , 5H050FA19 , 5H050GA16 , 5H050GA24 , 5H050GA27 , 5H050HA02 , 5H050HA03 , 5H050HA04 , 5H050HA08 , 5H050HA10 , 5H050HA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

ダイヤモンド単結晶基材及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-065124 Applicant：三菱マテリアル株式会社
ホウ素ドーピングされたダイヤモンド
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-553040 Applicant：エレメントシックスリミテッド
ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-264225 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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