Pat
J-GLOBAL ID：201003009852131172

高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料

Inventor：
スカーズブルック、ジェフリー アラン

About スカーズブルック、ジェフリー アラン


Applicant, Patent owner：
エレメント シックス リミテッド

About エレメント シックス リミテッド


Agent (6)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  浅野 裕一郎 ,  安藤 克則 ,  上村 陽一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009546058
Publication number (International publication number)：2010516600
Application date： Jan. 22, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：
本発明は、第1の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第1の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
Claim (excerpt)：
第1の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第1の表面の上にホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層を有するダイヤモンド材料において、 前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料。
IPC (8)：
C30B 29/04 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/02 ,  H01B 1/04 ,  H01M 4/583 ,  H01M 4/04 ,  G01N 27/30
FI (8)：
C30B29/04 P ,  C30B25/20 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  H01B1/04 ,  H01M4/58 102 ,  H01M4/04 101Z ,  G01N27/30 B
F-Term (40)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA05 ,  4G077TK02 ,  4G077TK06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA02 ,  4K030JA01 ,  5G301BA01 ,  5H050AA19 ,  5H050BA00 ,  5H050CA16 ,  5H050CB09 ,  5H050DA04 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050GA16 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA03 ,  5H050HA04 ,  5H050HA08 ,  5H050HA10 ,  5H050HA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
Show all
Cited by examiner (11)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM