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J-GLOBAL ID：201503050312638142

希土類錯体ポリマーとその製造方法、及びプラスチック成形体

Inventor：
小野寺 宏光

About 小野寺 宏光

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長谷川 靖哉

About 長谷川 靖哉


Applicant, Patent owner：
株式会社レーザーシステム

About 株式会社レーザーシステム

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国立大学法人北海道大学

About 国立大学法人北海道大学


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  沖田 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014180208
Publication number (International publication number)：2015071751
Application date： Sep. 04, 2014
Publication date： Apr. 16, 2015
Summary：
【課題】本発明は、プラスチック材料に配合して成形加工するために十分な耐熱性を有し、かつ分散性が良好な希土類錯体ポリマーを提供することを目的とする。【解決手段】三価の希土類イオンと、ホスフィンオキシド多座配位子と、単座配位子及び/又はキレート配位子と、を含み、キレート配位子が、ホスフィンオキシド基を有する化合物、及び窒素原子又は硫黄原子を配位子として有する化合物から選ばれる配位子であり、1つのホスフィンオキシド多座配位子が、2つ以上の希土類イオンに配位して2つ以上の希土類イオン同士を橋かけしており、1つの単座配位子及び/又はキレート配位子が、1つの希土類イオンに配位している、希土類錯体ポリマー。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
三価の希土類イオンと、ホスフィンオキシド多座配位子と、単座配位子及び/又はキレート配位子と、を含み、 前記キレート配位子が、ホスフィンオキシド基を有する化合物、及び窒素原子又は硫黄原子を配位子として有する化合物から選ばれる配位子であり、 1つの前記ホスフィンオキシド多座配位子が、2つ以上の前記希土類イオンに配位して2つ以上の前記希土類イオン同士を橋かけしており、 1つの前記単座配位子及び/又は前記キレート配位子が、1つの前記希土類イオンに配位している、希土類錯体ポリマー。
IPC (3)：
C08G 79/04 ,  C08L 101/00 ,  C08L 85/02
FI (3)：
C08G79/04 ,  C08L101/00 ,  C08L85/02
F-Term (26)：
4J002BB031 ,  4J002BB121 ,  4J002BD041 ,  4J002BD121 ,  4J002BD151 ,  4J002CB001 ,  4J002CC041 ,  4J002CD001 ,  4J002CF001 ,  4J002CF211 ,  4J002CG001 ,  4J002CK011 ,  4J002CL001 ,  4J002CM041 ,  4J002CN011 ,  4J002CN031 ,  4J002CQ012 ,  4J002GG01 ,  4J002GG02 ,  4J030CA01 ,  4J030CB32 ,  4J030CC12 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG16 ,  4J030CG21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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