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J-GLOBAL ID：201503064871847119

スピン流制御装置

Inventor： 市村 雅彦 ,  家田 淳一 ,  前川 禎通
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  独立行政法人日本原子力研究開発機構
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013236151
Publication number (International publication number)：2015095635
Application date： Nov. 14, 2013
Publication date： May. 18, 2015
Summary：

【課題】スピン流を制御する機構を提供し、更に、そのスピン流制御機構を用いてスピン流をオン・オフ制御する回路あるいはスピン流を用いた論理回路を提供する。【解決手段】非磁性導電体10にスピン注入するスピン注入部と、スピン注入部から注入され非磁性導電体中を拡散するスピン流を制御するスピン流制御部とを有する。スピン流制御部は、磁壁32が挿入された強磁性体31と、強磁性体31に制御電流を流して磁壁を移動させる電流源35とを有し、非磁性導電体中を拡散するスピン流に磁壁移動に伴って発生する電場を作用させることによってスピン流を遮断する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

非磁性導電体と、第1の強磁性体と第1の電流源を備え前記非磁性導電体にスピン注入するスピン注入部と、前記スピン注入部から注入され前記非磁性導電体中を拡散するスピン流を制御するスピン流制御部とを有し、 前記スピン流制御部は、磁壁が挿入された第2の強磁性体と、前記第2の強磁性体に制御電流を流して前記磁壁を移動させる第2の電流源とを有し、前記非磁性導電体中を拡散する前記スピン流に前記磁壁移動に伴って発生する電場を作用させることによって前記スピン流を遮断することを特徴とするスピン流制御装置。

IPC (1)：

H01L 29/82

FI (1)：

H01L29/82 Z

F-Term (11)：

5F092AB10 ,  5F092AC21 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD19 ,  5F092BD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スピン流増幅装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-029825   Applicant：株式会社日立製作所
• スピン伝導素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-009234   Applicant：TDK株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スピン起電力による非局所スピンバルブ構造におけるスピン流変調
• スピン起電力を用いた非局所スピンバルブ構造におけるスピン流増幅