GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：秋元輝雄 , 越智俊郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010075467
Publication number (International publication number)：2011210845
Patent number：5660528
Application date： Mar. 29, 2010
Publication date： Oct. 20, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】下式(1)あるいは下式(2)で表されるとともにMnSiが含まれていないことを特徴とするGaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体。 Mn11Si19-xGax 式(1) [式(1)において、xは0を超え0.1以下である。] Mn4 Si7-y Sny 式(2) [式(2)において、yは0を超え0.1以下である。]

IPC (3)：

H01L 35/14 ( 200 6.01) , H01L 35/34 ( 200 6.01) , C30B 29/52 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 35/14 , H01L 35/34 , C30B 29/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

熱電材料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-169374 Applicant：株式会社小松製作所
熱電モジュール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-281887 Applicant：株式会社小松製作所
熱電材料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-227389 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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