熱電素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004289578
Publication number (International publication number)：2006108203
Application date： Oct. 01, 2004
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

【課題】熱電素子の製造方法において、異方性の結晶構造を持った熱電素子の結晶方位を所望の方位に制御できるようにする。【解決手段】坩堝1が坩堝軸9によって支持された状態で、可動機構により垂直方向に移動可能に構成されている。坩堝1、及び坩堝軸9の垂直方向への移動によって、原料の融液13と、原料の結晶15との境界面である成長界面の位置が可変する。垂直ブリッジマン(VB)法結晶成長炉を用いる。所望の方位を持つ種結晶17を用いて、該種結晶17から成長させることにより、結晶方位が或る特定の方向、例えば結晶の抵抗が低いC面方向(又はA軸方向)に制御された、異方性の結晶構造を持った熱電素子を得ることが可能になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

種結晶(17)を用いて、その種結晶(17)から結晶(15)を成長させるようにした熱電素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 35/34 , C30B 11/00 , C30B 29/52 , H01L 35/14

FI (4)：

H01L35/34 , C30B11/00 Z , C30B29/52 , H01L35/14

F-Term (8)：

4G077AA02 , 4G077BE05 , 4G077CD01 , 4G077CD02 , 4G077ED01 , 4G077HA05 , 4G077MB03 , 4G077MB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

熱電材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-158843 Applicant：東京窯業株式会社
熱電材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-143766 Applicant：福田金属箔粉工業株式会社
半導体素子の製造方法、製造装置および熱電変換モジュールの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-095545 Applicant：オリオン機械株式会社

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Cited by examiner (7)

宇宙における結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-227150 Applicant：石川島播磨重工業株式会社
結晶製造装置および結晶製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-169916 Applicant：キヤノン株式会社
熱電モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-021174 Applicant：京セラ株式会社

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