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J-GLOBAL ID：201503081210376740

シナプス動作素子

Inventor： 長谷川 剛 ,  青野 正和 ,  大野 武雄 ,  鶴岡 徹 ,  寺部 一弥 ,  ジェイムス ジムジェフスキー
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011127824
Publication number (International publication number)：2012256657
Patent number：5696988
Application date： Jun. 08, 2011
Publication date： Dec. 27, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 内部を金属イオンが拡散可能な材料であるイオン拡散材料からなる電極と、 前記電極と間隙を持って配置された金属電極とで構成され、 信号入力によって前記電極間の伝導度が変化するシナプス動作素子であって、 前記電極間の前記変化した伝導度が閾値よりも小さい場合には前記電極間への電圧印加が無い状態でも伝導度の減衰が起こり、 前記電極間の前記変化した伝導度が閾値よりも大きい場合には電圧印加が無い状態では伝導度の変化が起こらず、 前記イオン拡散材料が高分子固体電解質であり、 前記閾値よりも高い伝導度は、前記イオン拡散材料中の金属イオンが前記イオン拡散材料からなる電極表面に金属として析出して前記金属電極との間に架橋を形成した時の伝導度であり、 前記閾値よりも低い伝導度は、前記架橋が形成されていないときの伝導度である シナプス動作素子。

IPC (3)：

H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 27/10 448 ,  H01L 45/00 Z ,  H01L 49/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• コンダクタンスの制御が可能な電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265344   Applicant：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055951   Applicant：三菱化学株式会社
• ポイントコンタクト・アレー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-334686   Applicant：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 特開昭63-133465
  
• 特開平2-027739
  

Cited by examiner (4)

• コンダクタンスの制御が可能な電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265344   Applicant：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055951   Applicant：三菱化学株式会社
• ポイントコンタクト・アレー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-334686   Applicant：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 特開昭63-133465