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J-GLOBAL ID:201503089225265708

導波管型非可逆素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 高橋 隆二 ,  上野 晋
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011021371
Publication number (International publication number):2012161057
Patent number:5683303
Application date: Feb. 03, 2011
Publication date: Aug. 23, 2012
Claim (excerpt):
【請求項1】 電力を伝送する導波管回路に用いられる導波管型非可逆素子であって、 両端が貫通した中空筒状の導波管と、 前記導波管の内壁面に接着されたフェライトと、 前記導波管の外部であって且つ前記フェライトを挟む位置に対向して配置され該導波管の内部に強磁場を発生させる一対のマグネットとを備え、 前記導波管は、その内部を超高真空状態にして耐電力性が高められており、 前記フェライトにガーネット系フェライトが用いられ、前記超高真空状態が維持されるようになっていることを特徴とする導波管型非可逆素子。
IPC (2):
H01P 1/37 ( 200 6.01) ,  H01P 1/30 ( 200 6.01)
FI (2):
H01P 1/37 ,  H01P 1/30 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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