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J-GLOBAL ID：201503091177400104

半導体装置および誘電体膜

Inventor： 井野 恒洋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (3)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013140431
Publication number (International publication number)：2015015334
Application date： Jul. 04, 2013
Publication date： Jan. 22, 2015
Summary：

【課題】抗電界が低い酸化ハフニウムの強誘電体膜またはフェリ誘電体膜を備える半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、Zn、Mg、Mn、Nb、Sc、Fe、Cr、Co、In、Li、Nから選ばれる少なくとも1種の元素Aを含む酸化ハフニウムの強誘電体膜またはフェリ誘電体膜と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の導電層と、 第2の導電層と、 前記第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、Zn、Mg、Mn、Nb、Sc、Fe、Cr、Co、In、Li、Nから選ばれる少なくとも1種の元素Aを含む酸化ハフニウムの強誘電体膜またはフェリ誘電体膜と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/78 371

F-Term (20)：

5F083FR02 ,  5F083FR05 ,  5F083FR06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA12 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F101BA62 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法、該半導体装置に係る測定用治具
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-338307   Applicant：富士通株式会社
• 強誘電体構造物、これの製造方法、これを含む半導体装置及びそれの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-061486   Applicant：三星電子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Ferroelectricity in Gd-Doped HfO2 Thin Films