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J-GLOBAL ID：200903052431436065

半導体装置及びその製造方法、該半導体装置に係る測定用治具

Inventor：
クロス ジェフリー スコット

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塚田 峰春

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堀井 義正

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グリュバーマン アレクセイ

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キンゴン アンガス

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Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

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Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002338307
Publication number (International publication number)：2004172478
Application date： Nov. 21, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：
【課題】個々の強誘電体キャパシタの特性が揃った、動作の安定化が可能な半導体装置及びその製造方法、並びに半導体装置に係る測定用治具を提供する。【解決手段】半導体基板101上に下側電極層112と強誘電体キャパシタ膜113と上側電極層114とを順次形成した強誘電体キャパシタCA,CBとを含む半導体装置であって、半導体基板101の裏面に半導体基板101を介して強誘電体キャパシタ膜113に応力を印加する応力印加膜138が設けられた構成とする。強誘電体キャパシタ膜113のヒステリシス特性を揃えることが可能となる。【選択図】 図12
Claim (excerpt)：
基板上に強誘電体キャパシタ膜を有し、 該強誘電体キャパシタ膜に対して積極的に圧縮応力乃至引っ張り応力を印加する応力印加手段が設けられてなる半導体装置。
IPC (2)：
H01L27/105 ,  H01L21/66
FI (2)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/66 W
F-Term (18)：
4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB08 ,  4M106CA11 ,  4M106CA47 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA55 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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