Pat

J-GLOBAL ID：201503095482435177

酸化物誘電体及びその製造方法、酸化物誘電体の前駆体、並びに固体電子装置及びその製造方法

Inventor： 下田 達也 ,  井上 聡 ,  有賀 智紀
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
Agent (1)： 河野 広明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013202328
Publication number (International publication number)：2015067475
Application date： Sep. 27, 2013
Publication date： Apr. 13, 2015
Summary：

【課題】優れた特性を有する酸化物誘電体、及びその酸化物誘電体を備えた固体電子装置(例えば、高周波フィルタ、パッチアンテナ、キャパシタ、半導体装置、又は微小電気機械システム)を提供する。【解決手段】本発明の1つの酸化物誘電体からなる酸化物層30は、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)を含み、かつそのビスマス(Bi)の原子数を1としたときに、そのニオブ(Nb)の原子数が、1.3以上1.7以下である、【選択図】図1

Claim (excerpt)：

パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)を含み、かつ 前記ビスマス(Bi)の原子数を1としたときに、前記ニオブ(Nb)の原子数が、1.3以上1.7以下である、 酸化物誘電体。

IPC (9)：

C01G 33/00 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/316 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10

FI (8)：

C01G33/00 A ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/04 C ,  H01L21/316 C ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  H01G4/06 101 ,  H01G4/10

F-Term (42)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE06 ,  4G048AE07 ,  4G048AE08 ,  5E001AB01 ,  5E001AH01 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082BC39 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG27 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F083FR00 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339502   Applicant：宇部興産株式会社
• ビスマス化合物の製造方法とビスマス化合物の誘電体物質
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213694   Applicant：ソニー株式会社