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J-GLOBAL ID：201503095932954137

カーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法

Inventor： 大橋 俊之 ,  徳根 敏生 ,  大田 正弘 ,  加藤 良吾 ,  嶋 敏之
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人創成国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013191009
Publication number (International publication number)：2015054811
Application date： Sep. 13, 2013
Publication date： Mar. 23, 2015
Summary：

【課題】基板上に配設された遷移金属と貴金属との合金を含む触媒金属が、特定の面方位を有する結晶面を含む結晶構造を安定して備えることができるカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブ成長用基板において、該触媒金属は、第1の金属(遷移金属)と第2の金属(貴金属)との合金と、該合金の粒界面に固溶するか、或いは該合金中に固溶し、該合金の結晶面を安定化させる第3の金属とからなる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に配設されてカーボンナノチューブを成長させる触媒金属とを備えるカーボンナノチューブ成長用基板であって、 該触媒金属は、遷移金属からなる第1の金属と貴金属からなる第2の金属との合金と、該合金の粒界面に固溶するか、或いは該合金中に固溶し、該合金の結晶面を安定化させる第3の金属とからなることを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板。

IPC (3)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/89 ,  B01J 37/02

FI (3)：

C01B31/02 101F ,  B01J23/89 M ,  B01J37/02 301P

F-Term (48)：

4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC02B ,  4G146AC15B ,  4G146AC16B ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC48 ,  4G169AA03 ,  4G169AA12 ,  4G169BA06A ,  4G169BA06B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB11A ,  4G169BC12A ,  4G169BC16A ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC42A ,  4G169BC50A ,  4G169BC54A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EA11 ,  4G169EB14X ,  4G169EB14Y ,  4G169EC28 ,  4G169FA02 ,  4G169FB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-199338   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 大規模単壁カーボンナノチューブ調製のための高収率気相成長法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-550143   Applicant：デュークユニバーシティ
• 単層カーボンナノチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-097768   Applicant：科学技術振興事業団, 日本電気株式会社
• カーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-039553   Applicant：学校法人東京理科大学
• カーボンファイバーの製造方法及びそれを使用した電子放出素子の製造方法、電子デバイスの製造方法、画像表示装置の製造方法および、該画像表示装置を用いた情報表示再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-185026   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブ製造用触媒体、その製造方法およびカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法およびカーボンナノチューブ含有組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-050166   Applicant：東レ株式会社

Cited by examiner (6)

• カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-199338   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 大規模単壁カーボンナノチューブ調製のための高収率気相成長法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-550143   Applicant：デュークユニバーシティ
• 単層カーボンナノチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-097768   Applicant：科学技術振興事業団, 日本電気株式会社
• カーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-039553   Applicant：学校法人東京理科大学
• カーボンファイバーの製造方法及びそれを使用した電子放出素子の製造方法、電子デバイスの製造方法、画像表示装置の製造方法および、該画像表示装置を用いた情報表示再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-185026   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブ製造用触媒体、その製造方法およびカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法およびカーボンナノチューブ含有組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-050166   Applicant：東レ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Chem.Mater., 2004, Vol.16、No.5, pp.799-805

Cited by examiner (1)

• Chem.Mater., 2004, Vol.16、No.5, pp.799-805