Art

J-GLOBAL ID：201602211166173220   Reference number：16A0131011

Preparation of Lithium Doped Zinc Oxide Thin Film via Cold Wall Chemical Vapor Deposition Reactor

コールドウォール型CVD装置を用いたリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製

Author (5)： KURODA SHINGO (東海大 大学院工学研究科) ,  OKUBO TATSUO (東海大 大学院工学研究科) ,  ASAKA TAKASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  HIGUCHI MASASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  AKIYAMA YASUNOBU (東海大 大学院工学研究科)
Material： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (J Soc Inorg Mater Jpn)
Volume： 23  Issue： 380  Page： 34-38  Publication year： Jan. 01, 2016 
JST Material Number： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film growth ,  nonvolatile memory ,  *zinc oxide ,  doping ,  lithium ,  *chemical vapor deposition ,  reaction temperature ,  rate of sedimentation ,  *micro structure ,  phase constitution ,  morphology ,  surface structure ,  coverage factor ,  crystal orientation ,  crystallinity ,  X-ray diffractometry ,  lithium oxide ,  lithium carbonate
Semi thesaurus term： zinc oxide thin film ,  CVD ,  コールドウォールCVD ,  microstructure ,  surface morphology ,  step coverage ,  crystal orientation

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (10)：

• A. Onodera, H. Sato, Materials Integration, 12, 27-32 (1999) .
• K. Misawa, Y. Akiyama, T. Asaka, M. Higuchi, submitted J. Soc. Inorg. Mater. Japan.
• H. Hayakawa, Y. Akiyama, T. Asaka, M. Higuchi, submitted J. Soc. Inorg. Mater. Japan.
• Y. Akiyama, T. Sato, N. Imaishi, Journal of Crystal Growth, 147, 130-146 (1995) .
• Y. Akiyama, N. Imaishi, Y. S. Shin, S. C. Jung, Journal of Crystal Growth, 241, 352-362 (2002) .

Terms in the title (6)： ウォール ,  CVD装置 ,  リチウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛薄膜 ,  作製