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J-GLOBAL ID：201602215369855534   Reference number：16A0281680

Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層欠陥生成過程の断面TEM解析

Author (4)： YAMASAKI JUN (阪大 電顕セ) ,  ISHIDA ATSUSHI (名古屋大 工) ,  AKIYAMA KENSUKE (神奈川県産技セ) ,  HIRABAYASHI YASUO (神奈川県産技セ)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 63rd  Page： ROMBUNNO.20P-H101-1  Publication year： Mar. 03, 2016 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  epitaxy ,  *stacking fault ,  *electron microscopy ,  aberration correction ,  thermal decomposition ,  semiconductor thin film ,  semiconductor material ,  alkyne ,  *3C-silicon carbide ,  *lattice defect
Semi thesaurus term： *3C-SiC

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Acetylene

Terms in the title (7)： Si ,  3C-SiC ,  エピ膜 ,  積層欠陥 ,  過程 ,  断面TEM ,  解析