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J-GLOBAL ID：201602216738726952   Reference number：16A0284129

水素ラジカルによるレジスト除去における除去速度の酸素添加量依存性

Author (6)： YAMAMOTO MASASHI (香川高専) ,  UMEMOTO HIRONOBU (静大) ,  ODAIRA KEISUKE (北陸先端科学技術大学院大) ,  SHIKAMA TOMOKAZU (香川高専) ,  NISHIYAMA TAKASHI (大阪市大) ,  HORIBE HIDEO (大阪市大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 63rd  Page： ROMBUNNO.22A-W611-9  Publication year： Mar. 03, 2016 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *radical ,  *Hydrogen ,  *resist ,  exfoliation ,  removal ,  velocity ,  oxygenation ,  dependence ,  semiconductor process ,  optimization ,  *lithography ,  Oxygen ,  processing velocity ,  hydrogen radical ,  doping amount dependence ,  modification
Semi thesaurus term： oxygen addition ,  removal velocity

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 水素ラジカル ,  レジスト ,  除去速度 ,  酸素 ,  添加量依存性