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J-GLOBAL ID：201602218148954960   Reference number：16A0284074

Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動

Author (5)： HATAYAMA SHOGO (東北大 工) ,  SHINDO SATOSHI (東北大 工) ,  ANDO DAISUKE (東北大 工) ,  SUTO YUJI (東北大 工) ,  KOIKE JUN'ICHI (東北大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 63rd  Page： ROMBUNNO.22A-W331-9  Publication year： Mar. 03, 2016 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *metallic thin film ,  antimony compound ,  germanium compound ,  telluride (chalcogenide) ,  sputtering ,  silicon dioxide ,  silicon ,  thin film growth ,  *electrical resistivity ,  temperature dependence ,  *phase transition ,  antimony germanium telluride
Semi thesaurus term： *phase change ,  Co-sputtering

JST classification (1)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (6)： Cr ,  Ge ,  Te ,  化合物薄膜 ,  相変化 ,  挙動