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J-GLOBAL ID：201602219536011829   Reference number：16A0044304

A New Metallic Complex Reaction Etching for MRAM Materials by A Low-Temperature Neutral Beam Process

低温中性粒子ビームプロセスによるMRAM材料の新しい金属錯体反応性エッチング

Author (2)： KUBOTA Tomohiro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
Material： Proceedings. International Conference on Flow Dynamics (CD-ROM)  (Proc Int Conf Flow Dyn (CD-ROM))
Volume： 12th  Page： 210-211  Publication year： 2015 
JST Material Number： L8189B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,  *neutral beam ,  *magnetoresistive random access memory ,  magnetic reluctance ,  low temperature ,  magnetic material ,  density functional method ,  *beam

JST classification (3)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Atomic beams,molecular beams  (BH01020Z)

Terms in the title (7)： 低温 ,  中性粒子ビーム ,  プロセス ,  MRAM ,  金属錯体 ,  反応性 ,  エッチング