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J-GLOBAL ID：201602255029091783   Reference number：16A0930918

硫化法によるAg₂SnS₃薄膜の作製

Author (10)： MINAMI AIMI (長岡工高専) ,  SASAGAWA SHOHEI (長岡工高専) ,  EBE HINAKO (長岡工高専) ,  YAGO AIMI (長岡工高専) ,  AKAKI YOJI (都城工高専) ,  YAMAGUCHI TOSHIYUKI (和歌山工高専) ,  NAKAMURA SHIGEYUKI (津山工高専) ,  SETO SATORU (石川工高専) ,  KATAGIRI HIRONORI (長岡工高専) ,  ARAKI HIDEAKI (長岡工高専)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.14p-P21-7  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *sulfurization ,  *electron beam deposition ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  X-ray fluorescence analysis ,  X-ray diffraction ,  scanning electron microscope ,  chemical composition ,  stoichiometry ,  N-type semiconductor ,  temperature dependence ,  sulfide(chalcogenide) ,  tin compound ,  silver compound

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (3)： 硫化 ,  薄膜 ,  作製