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J-GLOBAL ID：201602268216664573   Reference number：16A0630810

Non-polar ZnO film growth on r-plane sapphire substrate using high-temperature H₂O generated by a catalytic reaction

触媒反応支援CVD法による非極性ZnO結晶膜の成長

Author (7)： TAJIMA RYOICHI (長岡技科大) ,  IKEDA MUNENORI (長岡技科大) ,  KANOUCHI SHINGO (長岡技科大) ,  OISHI KOICHIRO (長岡工高専) ,  KATAGIRI HIRONORI (長岡工高専) ,  TAMAYAMA YASUHIRO (長岡技科大) ,  YASUI KANJI (長岡技科大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 101(OME2016 18-26)  Page： 13-17  Publication year： Jun. 10, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film ,  *nonpolarity ,  *chemical vapor deposition ,  catalytic reaction ,  water molecule ,  substrate (plate) ,  atomic force microscope ,  X-ray diffractometry ,  Hall effect ,  structure ,  crystal grain size (diameter) ,  conductive property ,  sapphire substrate ,  *ZnO film
Semi thesaurus term： AFM (microscope) ,  chemical vapor deposition ,  X-ray diffractometry ,  *ZnO thin film ,  stripe geometry ,  *chemical vapor phase deposition ,  crystal grain size ,  electrical conductivity

JST classification (2)： Crystal growth of oxides  (BK13050I) ,  Vapor plating  (WC08022K)

Terms in the title (7)： 触媒反応 ,  支援 ,  CVD法 ,  非極性 ,  ZnO ,  結晶 ,  成長