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J-GLOBAL ID：201602280144562153   Reference number：16A1273330

Combined Surface-Activated Bonding (SAB) Technology for Low-Temperature Wafer Bonding for 3D Integration

複合表面活性化接合(SAB)による3D集積化のための低温ウエハ接合

Author (4)： RAN He (東大 大学院工学系研究科) ,  FUJINO Masahisa (東大 大学院工学系研究科) ,  YAMAUCHI Akira (ボンドテック) ,  SUGA Tadatomo (東大 大学院工学系研究科)
Material： マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
Volume： 25th  Page： 321-324  Publication year： Sep. 03, 2015 
JST Material Number： X0060A  ISSN： 2434-396X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： activation ,  *conjugation(reproduction) ,  *integration(accumulation) ,  interface(surface) ,  joint(part) ,  transmission electron microscope ,  *wafer
Semi thesaurus term： *3D integration ,  *wafer bonding ,  *Si wafer ,  bonded interface ,  surface activation

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： 表面活性化接合 ,  SAB ,  3D集積化 ,  低温 ,  ウエハ接合