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J-GLOBAL ID：201602282251228202   Reference number：16A0941568

高圧水蒸気処理による高誘電体膜SrTa₂O₆を用いたIGZO薄膜トランジスタの特性改善

Author (6)： OIKAWA KENTO (奈良先端科学技術大学院大) ,  FUJII MAMI (奈良先端科学技術大学院大) ,  BERMUNDO Juan Paolo (奈良先端科学技術大学院大) ,  UCHIYAMA KIYOSHI (鶴岡工高専) ,  ISHIKAWA YASUAKI (奈良先端科学技術大学院大) ,  URAOKA YUKIHARU (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.15p-A22-6  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium compound ,  *zinc compound ,  *oxide ,  *indium compound ,  dielectric thin film ,  strontium compound ,  tantalate ,  *thin film transistor ,  spin coating ,  transmission characteristic ,  depth profile ,  *indium gallium zinc oxide
Semi thesaurus term： *IGZO(semiconductor) ,  タンタル酸ストロンチウム ,  depth profile

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 高圧水蒸気 ,  誘電体膜 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  特性改善