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J-GLOBAL ID:201603000184959217
テラヘルツ帯域電磁波発振素子およびテラヘルツ帯域電磁波発振装置
Inventor:
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,
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
棚井 澄雄
, 飯田 雅人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014177877
Publication number (International publication number):2016051871
Application date: Sep. 02, 2014
Publication date: Apr. 11, 2016
Summary:
【課題】発生する熱を効率的に排熱することができるテラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のテラヘルツ帯域電磁波発振素子は、基板上に形成され、交流ジョセフソン効果を利用して複数のジョセフソン接合が協調して振動することによりテラヘルツ帯域電磁波を発振できるメサ構造の多重積層型ジョセフソン接合を有し、その形状が基板に対してメサ形状を有する超伝導体の単結晶と、前記単結晶を少なくとも前記基板と反対側の面から排熱する排熱手段とを有する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に形成され、交流ジョセフソン効果を利用して複数のジョセフソン接合が協調して振動することによりテラヘルツ帯域電磁波を発振できる多重積層型ジョセフソン接合を有し、その形状が基板に対してメサ形状を有する超伝導体の単結晶と、
前記単結晶を少なくとも前記基板と反対側の面から排熱する排熱手段とを有するテラヘルツ帯域電磁波発振素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (5):
4M113AA59
, 4M113AA60
, 4M113AC13
, 4M113AD36
, 4M113CA35
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent:
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