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J-GLOBAL ID：201603001085152871

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 河原 敏男 ,  岡本 一将 ,  松本 和彦 ,  宇都宮 里佐 ,  松葉 晃明 ,  松本 均
Applicant, Patent owner： 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新電機株式会社
Agent (4)： 上羽 秀敏 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  川上 桂子
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013045952
Publication number (International publication number)：2014175418
Patent number：5988304
Application date： Mar. 07, 2013
Publication date： Sep. 22, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 一主面に凹凸形状がストライプ状または碁盤目状に形成されたシリコン基板と、 前記凹凸形状の凸部の長さ方向に沿って前記凸部上に配置され、前記シリコン基板の法線方向に成長したグラフェンまたはカーボンナノウォール薄膜からなるチャネル層と、 前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜において前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜の厚み方向に平行な第1の側面に接し、金属カーボンナノウォール薄膜からなるソース電極と、 前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜の面内方向において前記ソース電極に対向するように配置され、前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜において前記第1の側面に対向する第2の側面に接し、金属カーボンナノウォール薄膜からなるドレイン電極と、 ゲート電極と、 前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜と前記ゲート電極との間に配置された絶縁膜とを備える薄膜トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (10)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 310 E ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 301 J