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J-GLOBAL ID：201603001115061809

圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電素子

Inventor： 梅田 圭一 ,  本多 淳史 ,  秋山 守人 ,  長瀬 智美 ,  西久保 桂子 ,  上原 雅人
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014118603
Publication number (International publication number)：2015233042
Application date： Jun. 09, 2014
Publication date： Dec. 24, 2015
Summary：

【課題】スカンジウム以外の安価な元素を含有し、かつ圧電特性に優れた圧電薄膜を提供する。【解決手段】マグネシウム及びハフニウムを含有する窒化アルミニウムからなる圧電薄膜であって、前記マグネシウム100原子%に対する前記ハフニウムの含有量が、8原子%以上、100原子%未満であり、前記マグネシウム、ハフニウム及びアルミニウムの含有量の総和に対する前記マグネシウム及びハフニウムの合計含有量が、47原子%以下の範囲にある、圧電薄膜。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

マグネシウム及びハフニウムを含有する窒化アルミニウムにより形成されている圧電薄膜であって、 前記マグネシウム100原子%に対する前記ハフニウムの含有量が、8原子%以上、100原子%未満の範囲にあり、 前記マグネシウム、ハフニウム及びアルミニウムの含有量の総和に対する前記マグネシウム及びハフニウムの合計含有量が、47原子%以下の範囲にある、圧電薄膜。

IPC (7)：

H01L 41/187 ,  C01G 27/00 ,  H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H01L 41/316 ,  H01L 41/113 ,  H04R 17/00

FI (7)：

H01L41/187 ,  C01G27/00 ,  H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H01L41/316 ,  H01L41/113 ,  H04R17/00

F-Term (22)：

4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  5D004BB01 ,  5D004CC01 ,  5D004DD03 ,  5D004GG00 ,  5J108AA07 ,  5J108AA09 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD09 ,  5J108EE03 ,  5J108EE05 ,  5J108EE13 ,  5J108KK07 ,  5J108MM08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 弾性波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-250535   Applicant：太陽誘電株式会社