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J-GLOBAL ID：201603002071937457

窒化物半導体装置の製造方法

Inventor： 廣木 正伸 ,  熊倉 一英 ,  小林 康之 ,  赤坂 哲也 ,  山本 秀樹 ,  牧本 俊樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013121748
Publication number (International publication number)：2014239179
Patent number：5931803
Application date： Jun. 10, 2013
Publication date： Dec. 18, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に作製された窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の前記基板が接している面とは対向する面に、Auからなる表面保護層を塗布する工程と、 前記表面保護層上に、Auが塗布された固定具を圧着して固定する工程と、 前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子を前記基板から剥離する工程と、 前記剥離した窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子の前記基板を剥離した面に別の基板を接合する工程と、 前記表面保護層のみが溶解し、前記基板と、前記窒化物半導体層構造あるいは窒化物半導体素子とはエッチングされない選択的表面保護層除去液であって、ヨウ化カリウムを含む溶液を用いて、前記表面保護層を除去する工程と を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-149513   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物レーザダイオード構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-247104   Applicant：ゼロックス・コーポレーション