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J-GLOBAL ID：201603002890085710

MgxSi系多孔体及びその製造方法

Inventor： 板原 浩 ,  山田 高広 ,  山根 久典
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (2)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012128452
Publication number (International publication number)：2013252982
Patent number：6028401
Application date： Jun. 05, 2012
Publication date： Dec. 19, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Mg2Siを減圧下で加熱し、Mgを除去することにより、MgxSi系多孔体(0≦x≦1.6)を生成させる加熱工程 を備えたMgxSi系多孔体の製造方法。

IPC (3)：

C01B 33/06 ( 200 6.01) ,  H01M 4/38 ( 200 6.01) ,  H01M 4/46 ( 200 6.01)

FI (3)：

C01B 33/06 ,  H01M 4/38 Z ,  H01M 4/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多孔質シリコン粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-195723   Applicant：古河電気工業株式会社
• 多孔質シリコン複合体粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-195751   Applicant：古河電気工業株式会社
• 多孔質シリコン粒子及びその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-202789   Applicant：古河電気工業株式会社