α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015035140
Publication number (International publication number)：2016155714
Application date： Feb. 25, 2015
Publication date： Sep. 01, 2016
Summary：

【課題】半導体素子に適用可能なα-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、及び、それを用いた半導体素子の提供。【解決手段】少なくともGaのハロゲン化物を含むガリウム原料の分圧を0.05〜10kPa、O2、H2OおよびN2Oから少なくとも1つ選択される酸素原料の分圧を0.25〜50kPaとし、250〜650°C未満の成長温度、5μm〜1mm/時間の成長速度で、サファイア基板上にα-Ga2O3単結晶を成長させるハライド気相成長法によるα-Ga2O3単結晶の製造方法。前記方法によって得られる、カーボン濃度が5×1018cm-3以下、水素濃度が、5×1018cm-3以下、アルミニウム濃度が4×16cm-3以下、塩素濃度が1×18cm-3以下であり、波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm-1以下であるα-Ga2O3単結晶及び前記単結晶を備えた半導体素子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

カーボン濃度は、5×1018cm-3以下である、α-Ga2O3単結晶。

IPC (6)：

C30B 29/16 , C30B 25/16 , C23C 16/40 , C23C 16/14 , H01L 21/205 , H01L 33/26

FI (6)：

C30B29/16 , C30B25/16 , C23C16/40 , C23C16/14 , H01L21/205 , H01L33/00 180

F-Term (67)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA07 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EH01 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TC02 , 4G077TC03 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TC10 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA03 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA08 , 4K030BA09 , 4K030BA10 , 4K030BA16 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA29 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA01 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF01 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA59 , 5F241AA41 , 5F241CA05 , 5F241CA13 , 5F241CA40 , 5F241CA63 , 5F241CA64 , 5F241CA65

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

酸化物結晶薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-118358 Applicant：株式会社FLOSFIA
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-164748 Applicant：公立大学法人高知工科大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3 on sapphire(0001)substrates

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