結晶性積層構造体およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014239389
Publication number (International publication number)：2016100592
Application date： Nov. 26, 2014
Publication date： May. 30, 2016
Summary：

【課題】高品質なコランダム構造のエピタキシャル膜を有する結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】結晶基板1の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部2aからなる凹凸部を形成し、ミストCVD法を用いて、横方向に結晶成長させ、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル層3を成膜する。ここで、結晶基板1はサファイア基板であり、結晶性半導体は少なくともガリウムを含む酸化物である。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、エピタキシャル層が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル層が、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むことを特徴とする結晶性積層構造体。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/365 , C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , C23C 16/02

FI (6)：

H01L21/20 , H01L21/365 , C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/02

F-Term (66)：

4G077AA03 , 4G077AB10 , 4G077BB10 , 4G077DB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TC01 , 4G077TC04 , 4G077TH01 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA12 , 5F045AB40 , 5F045AD09 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045DQ06 , 5F045EE02 , 5F045EK06 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN04 , 5F152LN32 , 5F152LN35 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM08 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN22 , 5F152NQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半極性の半導体結晶およびそれを製造するための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2012-557448 Applicant：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
特許第5343224号
エピタキシャル横方向異常成長窒化ガリウムテンプレート上での酸化亜鉛膜成長の方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-249543 Applicant：ナショナルユニヴァーシティーオブシンガポール

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