Pat

J-GLOBAL ID：201603006280906688

半導体装置の製造方法

Inventor： 古家 大士 ,  東 正信 ,  只友 一行 ,  岡田 成仁 ,  山根 啓輔
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ ,  国立大学法人山口大学
Agent (1)： 特許業務法人前田特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012040148
Publication number (International publication number)：2013175652
Patent number：6013743
Application date： Feb. 27, 2012
Publication date： Sep. 05, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板表面が、基板主面部分と、該基板主面部分とは面方位が異なると共にIII-V族化合物半導体の結晶成長が可能な結晶成長面部分と、を有するベース基板を用い、該ベース基板の該基板表面における該結晶成長面部分を起点として該III-V族化合物半導体を層状に結晶成長させることにより主面が非極性面又は半極性面であるIII-V族化合物半導体層を形成する半導体層形成工程を有する半導体装置の製造方法であって、 上記半導体層形成工程において、III-V族化合物半導体層を厚さ300μm以上に形成し、そして、得られるIII-V族化合物半導体層の表面の欠陥密度が1×107/cm2以下である半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 33/16 ( 201 0.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/16 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-008825   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-151792   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 単結晶窒化ガリウム基板、単結晶窒化ガリウム基板の製造方法および窒化ガリウム成長用下地基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-353274   Applicant：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-194414   Applicant：豊田合成株式会社