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J-GLOBAL ID：201603007988877315

有機半導体薄膜の製造方法

Inventor： 長谷川 達生 ,  峯廻 洋美 ,  山田 寿一 ,  松井 弘之
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014244266
Publication number (International publication number)：2015092585
Patent number：5995250
Application date： Dec. 02, 2014
Publication date： May. 14, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 有機半導体に親和性の高い有機溶媒に該有機半導体を高濃度に溶解して得た第1のインクと、該有機半導体に親和性の低い有機溶媒からなる第2のインクを用意する工程と、該基板上に各インクヘッドから該第1及び第2のインクをそれぞれ吐出させ、該第1及び第2のインクを該基板上で混合する工程と、混合した液滴中において有機半導体層が析出した後、液滴中の溶媒を蒸発させることにより有機半導体膜を形成する工程とを含むインクジェット式装置を用いる有機半導体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/28 310 J ,  H01L 21/368 L ,  H01L 29/28 100 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機半導体形成用インク、有機半導体パターン形成方法、電子素子および電子素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-290257   Applicant：株式会社リコー
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-296510   Applicant：ソニー株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-336709   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (3)

• 有機半導体形成用インク、有機半導体パターン形成方法、電子素子および電子素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-290257   Applicant：株式会社リコー
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-296510   Applicant：ソニー株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-336709   Applicant：株式会社日立製作所